产品中心
本公司制造的阳极模离子源采用模块化设计，可实现与现有的设备匹配。(用户指定尺寸定做)
主要部分：表面外阴极、表面内阴极、磁铁、壳体部分、阳极、布气机构、电源驱动。
产品概述
用于真空镀膜过程中基底离子轰击清洁及沉积过程中离子轰击能量输送。
广泛应用于：增透膜、眼镜镀膜、光纤光学、高反镜、热/冷反光镜、低漂移滤波器、带通滤波器、在线清洗、类金刚石沉积等。
能够改善薄膜的生长、优化薄膜结构，增加镀膜的一致性和重复性，低温高速率镀膜，清除工件表面水和碳氢化合物，增加薄膜密度，降低内应力低，清除结合力弱的分子，反应气体活度增加，薄膜成分易于控制。
主要特点
结构先进
充分借鉴国内外先进的霍尔离子源的优点，具有独特的水冷和密封结构，经多次长时间的实验证明，离子源能够在很大的等离子体束流下长期稳定工作。
可在高温环境下长期可靠工作
在通常镀膜工艺中，工件需加热至很高温度，整个真空室内温度很高，而本离子源良好的冷却系统能保证离子源在 300℃的高温环境下长期正常工作。
等离子体束流大
为避免基片损伤，需要采用低能量大束流的等离子体进行辅助镀膜。以往国内采用的多因束流小(<1.5A)而很难达到理想的效果。本公司在大功率霍耳等离子体源的设计与制造技术上取得突破性的进展，制造出大束流下(>4A)长期稳定工作的等离子体源。
空间均匀性强
由于独特的磁路和放电区结构的设计，在以离子源轴线为中心 20度的圆锥内等离子态的强度均匀性可保持在 ± 20%以内。
完全适用于反应气体
在离子束辅助反应沉积镀膜过程中，通常需要用氧气或氮气等与蒸发的膜料进行反应沉积所需薄膜，在此过程中增加反应气体的活性和能量，对形成高质量薄膜至关重要。 本等离子体源可以在完全通入反应气体将其离化的条件下不出现中毒现象而正常工作。
安装简便、维护简单运行成本低
本离子源的安装非常简单，耗材只是灯丝，日常维护工作主要是更换灯丝。
操作简单
离子源的操作简单，通过调节离子源的放电电流以及灯丝电流即可使离子源稳定工作。控制面板上能直接观察到灯丝和阳极的电压、电流。
主要性能指标
产品概述 用于真空镀膜过程中基底离子轰击清洁及沉积过程中离子轰击能量输送。 广泛应用于：增透膜、眼镜镀膜、光纤光学、高反镜、热/冷反光镜、低漂移滤波器、带通滤波器、在线清洗、类金刚石沉积等。 能够改善薄膜的生长、优化薄膜结构，增加镀膜的一致性和重复性，低温高速率镀膜，清除工件表面水和碳氢化合物，增加薄膜密度，降低内应力低，清除结合力弱的分子，反应气体活度增加，薄膜成分易于控制。 主要特点 结构先进 充分借鉴国内外先进的霍尔离子源的优点，具有独特的水冷和密封结构，经多次长时间的实验证明，离子源能够在很大的等离子体束流下长期稳定工作。 可在高温环境下长期可靠工作 在通常镀膜工艺中，工件需加热至很高温度，整个真空室内温度很高，而本离子源良好的冷却系统能保证离子源在300℃的高温环境下长期正常工作。 等离子体束流大 为避免基片损伤，需要采用低能量大束流的等离子体进行辅助镀膜。以往国内采用的多因束流小(<1.5A)而很难达到理想的效果。本公司在大功率霍耳等离子体源的设计与制造技术上取得突破性的进展，制造出大束流下(>4A)长期稳定工作的等离子体源。 空间均匀性强 由于独特的磁路和放电区结构的设计，在以离子源轴线为中心20度的圆锥内等离子态的强度均匀性可保持在±20%以内。 完全适用于反应气体 在离子束辅助反应沉积镀膜过程中，通常需要用氧气或氮气等与蒸发的膜料进行反应沉积所需薄膜，在此过程中增加反应气体的活性和能量，对形成高质量薄膜至关重要。本等离子体源可以在完全通入反应气体将其离化的条件下不出现中毒现象而正常工作。 安装简便、维护简单运行成本低 本离子源的安装非常简单，耗材只是灯丝，日常维护工作主要是更换灯丝。 操作简单 离子源的操作简单，通过调节离子源的放电电流以及灯丝电流即可使离子源稳定工作。控制面板上能直接观察到灯丝和阳极的电压、电流。 主要性能指标
成套真空设备控制系统、新E型电子枪、霍尔离子源、阳极膜离子源、三相单相调功器、新型膜厚仪、多种复合真空计、复合压控仪等，并以优质产品质量、优良售后服务而得到众多用户的认同。
以较强的技术力量与新的经营理念,形成了强大的成套设备设计、研发、加工和配套的能力。我们有信心在真空行业做的更好!本着以人为本科技领先的理念，质量和服务并重的方针，凭借雄厚的技术创新实力与丰富的专业经验，确保设备品质更专业、更可靠、更稳定，以满足客户不同的需要，选择成都创科源，就是选择优质、选择放心。
产品概述
用于真空镀膜过程中基底离子轰击清洁及沉积过程中离子轰击能量输送。
广泛应用于：增透膜、眼镜镀膜、光纤光学、高反镜、热/冷反光镜、低漂移滤波器、带通滤波器、在线清洗、类金刚石沉积等。
能够改善薄膜的生长、优化薄膜结构，增加镀膜的一致性和重复性，低温高速率镀膜，清除工件表面水和碳氢化合物，增加薄膜密度，降低内应力低，清除结合力弱的分子，反应气体活度增加，薄膜成分易于控制。
主要特点
结构先进
充分借鉴国内外先进的霍尔离子源的优点，具有独特的水冷和密封结构，经多次长时间的实验证明，离子源能够在很大的等离子体束流下长期稳定工作。
可在高温环境下长期可靠工作
在通常镀膜工艺中，工件需加热至很高温度，整个真空室内温度很高，而本离子源良好的冷却系统能保证离子源在 300℃的高温环境下长期正常工作。
等离子体束流大
为避免基片损伤，需要采用低能量大束流的等离子体进行辅助镀膜。以往国内采用的多因束流小(<1.5A)而很难达到理想的效果。本公司在大功率霍耳等离子体源的设计与制造技术上取得突破性的进展，制造出大束流下(>4A)长期稳定工作的等离子体源。
空间均匀性强
由于独特的磁路和放电区结构的设计，在以离子源轴线为中心 20度的圆锥内等离子态的强度均匀性可保持在 ± 20%以内。
完全适用于反应气体
在离子束辅助反应沉积镀膜过程中，通常需要用氧气或氮气等与蒸发的膜料进行反应沉积所需薄膜，在此过程中增加反应气体的活性和能量，对形成高质量薄膜至关重要。 本等离子体源可以在完全通入反应气体将其离化的条件下不出现中毒现象而正常工作。
安装简便、维护简单运行成本低
本离子源的安装非常简单，耗材只是灯丝，日常维护工作主要是更换灯丝。
操作简单
离子源的操作简单，通过调节离子源的放电电流以及灯丝电流即可使离子源稳定工作。控制面板上能直接观察到灯丝和阳极的电压、电流。
主要性能指标
CKY-03AM是专为光学镀膜设计的新一代光学膜层厚度测量控制仪。本仪器由于采用窄带频率技术，因而对信号谐波和直流漂移具有极强的抑制能力。
主要性能指标及技术指标
主信号通道：
信号输入方式：单端交流输入
输入量程：0.5mV-500mV
信号频率范围:1KHz±5%
本机频相噪声:≤4nV/Hz(折合到输入端)
性误差: ≤0.1%
零点时源： ≤0.2%/h
参考信号通道：
信号输入方式：单端交流输入
输入幅度：20-700mV
频率范围:≥320。
资料图片见说明书
成套真空设备控制系统、新E型电子枪、霍尔离子源、阳极膜离子源、三相单相调功器、新型膜厚仪、多种复合真空计、复合压控仪等，并以优质产品质量、优良售后服务而得到众多用户的认同。
以较强的技术力量与新的经营理念,形成了强大的成套设备设计、研发、加工和配套的能力。我们有信心在真空行业做的更好!本着以人为本科技领先的理念，质量和服务并重的方针，凭借雄厚的技术创新实力与丰富的专业经验，确保设备品质更专业、更可靠、更稳定，以满足客户不同的需要，选择成都创科源，就是选择优质、选择放心。
创科源公司独创的电子枪扫描控制仪用智能手操器。它与主机采用I2C通讯方式，控制方便自如操作极具人性化，手操器背面自带磁性功能，并采用伸缩式连线，其极限长度可达6M。此手操器工作稳定可靠，故障率极低。
手操器共设8只按键;5只脉冲电位器;8只发光二极管;手操器内设有一只蜂鸣器，用于按键发音及电位器端点到位告警。
