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12/15
2018
电子枪使用方法及注意事项
电子枪在蒸镀时，由于电子束中的电子与气体分子和蒸发材料的蒸汽发生碰撞产生的离子轰击带负电高压电极及其引线，即产生打火。另外，若这些带负高压电的部分有尘粒等杂物，会使该处电场集中也容易打火。故电子束蒸镀设备的高压电源都附有高压复位装置，在打火时自动切断高压，然后又自动恢复，切断与恢复的时间愈短，愈不会影响蒸镀工艺。
霍尔离子源介绍
霍尔源有多种类型.END-HALL源由于结构简单,是目前广泛应用的一种.但究其源,是来源于俄罗斯开发用于空间电推进-(Electric Propulsion)离子源SPT的改型.最初原型见照片.现型END-HALL源其特点是结构简单,低能宽束大束流,东方安泰克1999年研发了国内第一台商用的霍尔离子源，并在光学镀膜行业取得运用 。
12/09
镀层和镀膜的原理特点及区别
A、原材料与基本原理：原材料都是树脂、聚合物、铁氟隆、硅酮、丙烯酸、硅酸盐等，辅料、配方与量度有所不同。例添加的乳化剂，不同的量相调和，乳化出来的状态就不一样，水状、乳状、膏状都可以实现。这些物质经乳化破乳后，部份渗透或形成薄膜。B、它们的特点和区别：
PVD真空镀膜的化学沉淀法
PVD是英文PhysicalVaporDeposition(物理气相沉积)的缩写，是指在真空条件下，采用低电压、大电流的电弧放电技术，利用气体放电使靶材蒸发并使被蒸发物质与气体都发生电离，利用电场的加速作用，使被蒸发物质及其反应产物沉积在工件上。PVD真空镀膜混合废水处理生化过程与传统的物理和化学过程，PVD镀膜生物絮凝剂之间最大的区别可连续操作过程中的育种，生物絮凝剂，PVD镀膜以去除金属离子与
12/08
真空镀膜基体材料的实质
真空镀膜实质上不同于雾化、熔融以及涂刷等宏观意义上的覆盖。真空镀膜主要通过在基体材料的晶面上施加过电位以促使参与堆积的粒子转化成吸附的原子后排列成相或形成无定形堆积的一种过程。真空镀膜因而这个过程会与基体材料的状态和外表结构息息相关。真空镀膜是一种原子级的堆积过程。考虑的因素主要涵盖下列几个方面。通常安排镀前的准备工作时。
电子枪结构说明
电子枪是产生电子束的部件,由直线状螺旋钨阴极、栅极和阳极组成。加速电压采用负高压，阴极和栅极处于相同的负电位，阳极接地电位。阴极由交流供电加热，使之发射电子，电子受栅极电位的影响，在阳极电压加速下形成会聚的电子束。在X方向磁场(左为S极、右为N极)的作用下，电子束得到进一步聚焦并偏转270?射入装有被镀膜料的坩埚中，其动能变成热能使材料蒸发沉积于基片上，达到所需膜层的要求。
离子源百科
1,霍尔源(END-HALL ion Source)霍尔源有多种类型.END-HALL源由于结构简单,是目前广泛应用的一种.但究其源,是来源于俄罗斯开发用于空间电推进-(Electric Propulsion)离子源SPT的改型.最初原型见照片.现型END-HALL源其特点是结构简单,低能宽束大束流,2,APS(Advanced Plasma Source)离子源
